- Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1066MHz
- Module: 1x 2GB
- JEDEC: PC3-8500S
- CAS Latency CL: 7 (entspricht 13.13ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 7 (entspricht 13.13ns)
- Row Precharge Time tRP: 7 (entspricht 13.13ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 20 (entspricht 37.52ns)
- Spannung: 1.5V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
- Garantie: (bitte weiterführenden Link beachten)
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bei Bestellung Versand heute, den 30.01
- Typ: DDR3L SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1600MHz
- Module: 2x 8GB
- JEDEC: PC3L-12800S
- CAS Latency CL: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 11 (entspricht 13.75ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 28 (entspricht 35.00ns)
- Spannung: 1.35V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
- Garantie: 24 Monate (Lebenslanges Garantieversprechen)
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- Typ: DDR3L SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1600MHz
- Module: 2x 8GB
- JEDEC: PC3L-12800S
- CAS Latency CL: 9 (entspricht 11.25ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht 11.25ns)
- Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht 11.25ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 28 (entspricht 35.00ns)
- Spannung: 1.35V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
- Garantie: (bitte weiterführenden Link beachten)
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- Kingston
- DDR3L
- 4 GB
- SO DIMM 204-PIN
- 1600 MHz / PC3L-12800
- CL11
- 1.35 V
- ungepuffert
- nicht-ECC
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- Typ: DDR3L SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1600MHz
- Module: 1x 4GB
- JEDEC: PC3L-12800S
- CAS Latency CL: 9 (entspricht 11.25ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht 11.25ns)
- Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht 11.25ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 28 (entspricht 35.00ns)
- Spannung: 1.35V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
- Garantie: (bitte weiterführenden Link beachten)
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- Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1333MHz
- Module: 2x 4GB
- JEDEC: PC3-10667S
- CAS Latency CL: 9 (entspricht 13.50ns)
- Spannung: 1.5V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
- Garantie: 24 Monate (Lebenslanges Garantieversprechen)
weitere Informationen
- Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1066MHz
- Module: 1x 4GB
- JEDEC: PC3-8500S
- CAS Latency CL: 7 (entspricht 13.13ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 7 (entspricht 13.13ns)
- Row Precharge Time tRP: 7 (entspricht 13.13ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 20 (entspricht 37.52ns)
- Spannung: 1.5V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
- Garantie: (bitte weiterführenden Link beachten)
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.50V
- Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1600MHz
- Module: 2x 4GB
- JEDEC: PC3-12800S
- CAS Latency CL: 9 (entspricht 11.25ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht 11.25ns)
- Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht 11.25ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 28 (entspricht 35.00ns)
- Spannung: 1.5V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
- Garantie: (bitte weiterführenden Link beachten)
weitere Informationen
- Typ: DDR3L SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1600MHz
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC3L-12800S
- CAS Latency CL: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 11 (entspricht 13.75ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 28 (entspricht 35.00ns)
- Spannung: 1.35V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
- Garantie: 24 Monate (Lebenslanges Garantieversprechen)
weitere Informationen
- Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1333MHz
- Module: 1x 4GB
- JEDEC: PC3-10667S
- Ranks/Bänke: dual rank, x8
- CAS Latency CL: 9 (entspricht 13.50ns)
- Spannung: 1.5V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
- Garantie: (bitte weiterführenden Link beachten)
weitere Informationen
- Typ: DDR3L SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1600MHz
- Module: 1x 4GB
- JEDEC: PC3L-12800S
- CAS Latency CL: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 11 (entspricht 13.75ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 28 (entspricht 35.00ns)
- Spannung: 1.35V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
- Garantie: 24 Monate (Lebenslanges Garantieversprechen)
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Kompatibilität: Apple
Kompatibilität: Apple
- Typ: DDR3L SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1600MHz
- Module: 2x 4GB
- JEDEC: PC3L-12800S
- CAS Latency CL: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 11 (entspricht 13.75ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 28 (entspricht 35.00ns)
- Spannung: 1.35V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
- Garantie: 24 Monate (Lebenslanges Garantieversprechen)
weitere Informationen
- Typ: DDR3L SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1333MHz
- Module: 1x 4GB
- JEDEC: PC3L-10667S
- CAS Latency CL: 9 (entspricht 13.50ns)
- Spannung: 1.35V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
- Garantie: 24 Monate (Lebenslanges Garantieversprechen)
weitere Informationen
- Typ: DDR3L SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1600MHz
- Module: 2x 4GB
- JEDEC: PC3L-12800S
- CAS Latency CL: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 11 (entspricht 13.75ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 28 (entspricht 35.00ns)
- Spannung: 1.35V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
- Garantie: (bitte weiterführenden Link beachten)
weitere Informationen
- Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1600MHz
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC3-12800S
- CAS Latency CL: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 11 (entspricht 13.75ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 28 (entspricht 35.00ns)
- Spannung: 1.5V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
- Garantie: (bitte weiterführenden Link beachten)
weitere Informationen
- Kingston
- DDR3L
- 8 GB
- SO DIMM 204-PIN
- 1600 MHz / PC3L-12800
- CL11
- 1.35 V
- ungepuffert
- nicht-ECC
- für Dell Latitude 34XX, 35XX; OptiPlex 3240; Vostro 14 54XX; XPS 15; Lenovo ThinkPad L460
weitere Informationen
- SO DIMM 204-PIN
- 1600 MHz / PC3-12800
- CL11 - 1.5 V
- ungepuffert
- nicht-ECC
- für Apple Mac mini (Ende 2012)
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DDR3RAM ist ein Typ von Arbeitsspeicher, der in vielen Notebooks und anderen mobilen Geräten verwendet wird. Es wurde entwickelt, um die Leistung von DDR2RAM zu verbessern und ist eine der am häufigsten verwendeten Arten von RAM in mobilen Geräten. DDR3RAM unterscheidet sich von DDR2RAM durch seine höhere Transferrate und niedrigere Spannung.
In Notebooks wird DDR3RAM häufig in Kombination mit einem Solid State Drive (SSD) verwendet, um die Leistung zu verbessern und den Stromverbrauch zu reduzieren. Ein wichtiger Faktor, der die Leistung von DDR3RAM beeinflusst, ist die Taktfrequenz, die in MHz angegeben wird. Je höher die Taktfrequenz ist, desto schneller kann der RAM Daten verarbeiten. DDR3RAM ist in verschiedenen Größen erhältlich, von denen die häufigsten 2 GB, 4 GB und 8 GB sind.
Die Verwendung von DDR3RAM in Notebooks kann dazu beitragen, die Leistung des Systems zu verbessern, indem sie schnellen Zugriff auf wichtige Daten ermöglicht. Es ist auch möglich, mehrere Module von DDR3RAM in einem System zu verwenden, um die Gesamtspeicherkapazität zu erhöhen. Allerdings ist es wichtig zu beachten, dass die meisten Notebooks nur Platz für ein oder zwei RAM-Module haben, wodurch die Erweiterungsmöglichkeiten begrenzt sind.
Obwohl DDR3RAM immer noch in vielen Notebooks verwendet wird, wurde es in den vergangenen Jahren durch DDR4RAM abgelöst, das noch höhere Transferraten und niedrigere Spannungen bietet. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass DDR3RAM in älteren Systemen möglicherweise immer noch die beste Wahl ist, da es möglicherweise nicht mit neueren DDR4-kompatiblen Mainboards kompatibel ist. Es ist daher wichtig, sicherzustellen, dass das gewählte RAM-Modul kompatibel mit dem Notebook ist, bevor es gekauft wird.