Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin • Ranks/Bänke: single rank, x8 • Module: 2x 8GB • JEDEC: PC4-19200S • CAS Latency CL: 17 (entspricht ~14.17ns) • Spannung: 1.20V • Modulhöhe: 30mm Produktdetails
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Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin • Ranks/Bänke: single rank, x8 • Module: 1x 8GB • JEDEC: PC4-19200S • CAS Latency CL: 17 (entspricht ~14.17ns) • Spannung: 1.20V • Modulhöhe: 30mm Produktdetails
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Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin • Ranks/Bänke: single rank, x8 • Module: 1x 4GB • JEDEC: PC4-19200S • CAS Latency CL: 17 (entspricht ~14.17ns) • Spannung: 1.20V • Modulhöhe: 30mm Produktdetails
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Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin • Module: 1x 8GB • JEDEC: PC4-19200S • CAS Latency CL: 16 (entspricht ~13.33ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 16 (entspricht ~13.33ns) • Row Precharge Time tRP: 16 (entspricht ~13.33ns) • Active-to-Precharge Time tRAS: ... Produktdetails
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Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin • Module: 2x 4GB • JEDEC: PC4-19200S • CAS Latency CL: 16 (entspricht ~13.33ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 16 (entspricht ~13.33ns) • Row Precharge Time tRP: 16 (entspricht ~13.33ns) • Active-to-Precharge Time tRAS: ... Produktdetails
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Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin • Ranks/Bänke: single rank • Module: 1x 8GB • JEDEC: PC4-21300S • CAS Latency CL: 16 (entspricht ~12.00ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 18 (entspricht ~13.50ns) • Row Precharge Time tRP: 18 (entspricht ~13.50ns) • ... Produktdetails
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Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin • Module: 4x 16GB • JEDEC: PC4-19200S • CAS Latency CL: 16 (entspricht ~13.33ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 16 (entspricht ~13.33ns) • Row Precharge Time tRP: 16 (entspricht ~13.33ns) • Active-to-Precharge Time tRAS: ... Produktdetails
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Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin • Ranks/Bänke: single rank, x8 • Module: 2x 8GB • JEDEC: PC4-21300S • CAS Latency CL: 19 (entspricht ~14.25ns) • Spannung: 1.20V • Modulhöhe: 30mm Produktdetails
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Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin • Ranks/Bänke: single rank, x8 • Module: 1x 8GB • JEDEC: PC4-21300S • CAS Latency CL: 19 (entspricht ~14.25ns) • Spannung: 1.20V • Modulhöhe: 30mm Produktdetails
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Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin • Ranks/Bänke: dual rank • Module: 1x 4GB • JEDEC: PC4-19200S • CAS Latency CL: 17 (entspricht ~14.17ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 17 (entspricht ~14.17ns) • Row Precharge Time tRP: 17 (entspricht ~14.17ns) • ... Produktdetails
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Samsung M471A4G43MB1-CTD. Komponente für: Notebook, RAM-Speicher: 32 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 32 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2666 MHz, Memory Formfaktor: 260-pin SO-DIMM Produktdetails
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Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin • Ranks/Bänke: single rank, x8 • Module: 2x 8GB • JEDEC: PC4-25600S • CAS Latency CL: 22 (entspricht ~13.75ns) • Spannung: 1.20V • Modulhöhe: 30mm Produktdetails
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Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin • Ranks/Bänke: single rank, x8 • Module: 1x 8GB • JEDEC: PC4-25600S • CAS Latency CL: 22 (entspricht ~13.75ns) • Spannung: 1.2V • Modulhöhe: 30mm Produktdetails
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Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin • Ranks/Bänke: dual rank, x8 • Module: 1x 16GB • JEDEC: PC4-25600S • CAS Latency CL: 22 (entspricht ~13.75ns) • Spannung: 1.2V • Modulhöhe: 30mm Produktdetails
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Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin • Ranks/Bänke: single rank, x16 • Module: 1x 4GB • JEDEC: PC4-21300S • CAS Latency CL: 19 (entspricht ~14.25ns) • Spannung: 1.2V • Modulhöhe: 30mm Produktdetails
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Typ DDR4 SO-DIMM 260-Pin • Ranks/Bänke single rank, x8 • Module 1x 8GB • JEDEC PC4-21300S • CAS Latency CL 19 (entspricht ~14.25ns) • Row-to-Column Delay tRCD 19 (entspricht ~14.25ns) • Row Precharge Time tRP 19 (entspricht ~14.25ns) ... Produktdetails
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Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin • Module: 2x 8GB • JEDEC: PC4-17000S • CAS Latency CL: 15 (entspricht ~14.06ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 15 (entspricht ~14.06ns) • Row Precharge Time tRP: 15 (entspricht ~14.06ns) • Active-to-Precharge Time tRAS: ... Produktdetails
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Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin • Ranks/Bänke: dual rank • Module: 2x 4GB • JEDEC: PC4-21300S • CAS Latency CL: 16 (entspricht ~12.00ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 18 (entspricht ~13.50ns) • Row Precharge Time tRP: 18 (entspricht ~13.50ns) • ... Produktdetails
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Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin • Module: 1x 16GB • JEDEC: PC4-19200S • CAS Latency CL: 16 (entspricht ~13.33ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 16 (entspricht ~13.33ns) • Row Precharge Time tRP: 16 (entspricht ~13.33ns) • Active-to-Precharge Time tRAS: ... Produktdetails
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Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin • Module: 4x 8GB • JEDEC: PC4-28800S • CAS Latency CL: 16 (entspricht ~8.89ns) • Row-to-Column Delay tRCD: 18 (entspricht ~10.00ns) • Row Precharge Time tRP: 18 (entspricht ~10.00ns) • Active-to-Precharge Time tRAS: ... Produktdetails
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