DDR3RAM 2x 4GB DDR3-1600 G.Skill SQ Series SO-DIMM, CL9-9-9-28 Kit
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- Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1600MHz
- Module: 2x 4GB
- JEDEC: PC3-12800S
- CAS Latency CL: 9 (entspricht 11.25ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 9 (entspricht 11.25ns)
- Row Precharge Time tRP: 9 (entspricht 11.25ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 28 (entspricht 35.00ns)
- Spannung: 1.5V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
Beschreibung
DDR3RAM 2x 4GB DDR3-1600 G.Skill SQ Series SO-DIMM, CL9-9-9-28 Kit
Dieses G.Skill Dual-Channel Kit besteht aus zwei 4 GB DDR3-1600-Speichermodulen PC3-12800, CL9. Die Gesamtkapazität beträgt 8 GB. Die 204-Pin Unbuffered SO-DIMM Module sind mit FBGA-Chips bestückt und besitzen vergoldete Kontakte. Das Kit ist geeignet für Notebooks und mobile Systeme mit DDR3-SO-DIMM-Support.
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Datenblatt
| Merkmale | |
|---|---|
| Speicherkapazität: | 8 GB |
| Speicherlayout Module x Größe: | 2 x 4 GB |
| Interner Speichertyp: | DDR3 |
| Speichertaktfrequenz: | 1600 MHz |
| Komponente für: | Laptop |
| Memory Formfaktor: | 204-pin SO-DIMM |
| ECC: | Nein |
| Gepufferter Speichertyp: | Unregistered unbuffered |
| CAS Latenz: | 9 |
| Speicherkanäle: | Zweikanalig |
| Speicherspannung: | 1.5 V |
| SPD profil: |  |
| Verpackungsdaten | |
| Verpackungsart: | SO-DIMM |
Hinweis: Die Beschreibung und das Datenblatt werden von Icecat zur Verfügung gestellt. Für die Richtigkeit und Vollständigkeit der aufgeführten Daten wird keine Haftung übernommen.
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