DDR3RAM 8GB DDR3-1600 G.Skill SQ Series SO-DIMM, CL11-11-11-31
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- Typ: DDR3 SO-DIMM 204-Pin
- Takt: 1600MHz
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC3-12800S
- Ranks/Bänke: dual rank
- CAS Latency CL: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 11 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 11 (entspricht 13.75ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 31 (entspricht 38.75ns)
- Spannung: 1.5V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
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Beschreibung
DDR3RAM 8GB DDR3-1600 G.Skill SQ Series SO-DIMM, CL11-11-11-31
Das G.Skill F3-1600C11S-8GSQ ist ein 8-GB-DDR3-1600-Speichermodul PC3-12800, CL11 aus der SQ-Serie. Das 204-Pin-unbuffered-SO-DIMM ist mit FBGA-Chips bestückt und besitzen vergoldete Kontakte. Das Modul ist geeignet für Notebooks und mobile Systeme mit DDR3-SO-DIMM-Support.
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Datenblatt
| Merkmale | |
|---|---|
| Speicherkapazität: | 8 GB |
| Speicherlayout Module x Größe: | 1 x 8 GB |
| Interner Speichertyp: | DDR3 |
| Speichertaktfrequenz: | 1600 MHz |
| Komponente für: | Laptop |
| Memory Formfaktor: | 204-pin SO-DIMM |
| ECC: | Nein |
| Gepufferter Speichertyp: | Unregistered unbuffered |
| CAS Latenz: | 11 |
| Speicherspannung: | 1.5 V |
| Speichertyp: | PC3-12800 |
Hinweis: Die Beschreibung und das Datenblatt werden von Icecat zur Verfügung gestellt. Für die Richtigkeit und Vollständigkeit der aufgeführten Daten wird keine Haftung übernommen.
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