- Kapazität: 1TB (entspricht ca. 931.32GiB bzw. 0.91TiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
- Lesen: 3500MB/s
- Schreiben: 3300MB/s SLC-Cached (1700MB/s TLC)
- IOPS 4K: 600k lesend, 550k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung, 96 Layer (V-NAND v5)
- TBW: 600TB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Samsung Phoenix/Elpis, 8 Kanäle
- Cache: 1GB (LPDDR4), SLC-Cache (dynamisch ab 6GB bis 42GB)
- Protokoll: NVMe 1.3
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
- L1.2 Low-Power-Standby
weitere Informationen
bei Bestellung Versand heute, den 15.10
- Kapazität: 500GB (entspricht ca. 465.66GiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
- Lesen: 3500MB/s
- Schreiben: 3200MB/s SLC-Cached (900MB/s TLC)
- IOPS 4K: 480k lesend, 550k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung, 96 Layer (V-NAND v5)
- TBW: 300TB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Samsung Phoenix/Elpis, 8 Kanäle
- Cache: 512MB (LPDDR4), SLC-Cache (dynamisch ab 4GB bis 22GB)
- Protokoll: NVMe 1.3
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
- L1.2 Low-Power-Standby
weitere Informationen
bei Bestellung Versand heute, den 15.10
- Kapazität: 256GB (entspricht ca. 238.42GiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
- Lesen: 1700MB/s
- Schreiben: 1100MB/s
- IOPS 4K: 180k lesend, 250k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Kioxia, 96 Layer (BiCS4)
- TBW: 300TB (entspricht TBW von 1171.9TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
- Protokoll: NVMe 1.3
weitere Informationen
bei Bestellung Versand heute, den 15.10
- Kapazität: 500GB (entspricht ca. 465.66GiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
- Lesen: 6900MB/s
- Schreiben: 5000MB/s SLC-Cached (1100MB/s TLC)
- IOPS 4K: 800k lesend, 1000k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung, 128 Layer (V-NAND v6)
- TBW: 300TB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Samsung Elpis/S4LV003, 8 Kanäle
- Cache: 512MB (LPDDR4), SLC-Cache (dynamisch ab 4GB bis 18GB)
- Protokoll: NVMe 1.3c
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
- L1.2 Low-Power-Standby
weitere Informationen
bei Bestellung Versand heute, den 15.10
- Kapazität: 2TB (entspricht ca. 1862.65GiB bzw. 1.82TiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
- Lesen: 7000MB/s
- Schreiben: 5100MB/s SLC-Cached (2000MB/s TLC)
- IOPS 4K: 1000k lesend, 1000k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung, 128 Layer (V-NAND v6)
- TBW: 1.3PB (entspricht TBW von 650TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Samsung Elpis/S4LV003, 8 Kanäle
- Cache: 2GB (LPDDR4), SLC-Cache (dynamisch ab 6GB bis 36GB)
- Protokoll: NVMe 1.3c
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
- L1.2 Low-Power-Standby
weitere Informationen
bei Bestellung Versand heute, den 15.10
- Kapazität: 512GB (entspricht ca. 476.84GiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/B-M-Key (SATA 6Gb/s)
- Lesen: 560MB/s
- Schreiben: 520MB/s
- IOPS 4K: 101k lesend, 80.4k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC
- TBW: 240TB (entspricht TBW von 468.8TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
- Protokoll: AHCI
weitere Informationen
bei Bestellung Versand heute, den 15.10
- Kapazität: 1TB (entspricht ca. 931.32GiB bzw. 0.91TiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
- Lesen: 3500MB/s
- Schreiben: 3000MB/s SLC-Cached
- IOPS 4K: 500k lesend, 480k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung, 128 Layer (V-NAND v6)
- TBW: 600TB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Samsung Pablo
- Cache: SLC-Cache (dynamisch bis 160GB)
- Protokoll: NVMe 1.4
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
- L1.2 Low-Power-Standby
weitere Informationen
bei Bestellung Versand heute, den 15.10
- Kapazität: 256GB (entspricht ca. 238.42GiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2260
- Schnittstelle: M.2/B-M-Key (SATA 6Gb/s)
- Lesen: 530MB/s
- Schreiben: 400MB/s
- IOPS 4K: 70k lesend, 73k schreibend
- Speichermodule: 2D-NAND MLC
- TBW: 740TB (entspricht TBW von 2890.6TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTBF)
- Protokoll: AHCI
weitere Informationen
bei Bestellung Versand heute, den 15.10
- Kapazität: 1TB (entspricht ca. 931.32GiB bzw. 0.91TiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
- Lesen: 7000MB/s
- Schreiben: 6000MB/s SLC-Cached
- IOPS 4K: 900k lesend, 1000k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Kioxia, 112 Layer (BiCS5)
- TBW: 800TB (entspricht TBW von 800TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.8 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Phison PS5018-E18, 8 Kanäle
- Cache: DRAM-Cache Speichervolumen nicht erfasst oder unterschiedliche Größen möglich (DDR4), SLC-Cache
- Protokoll: NVMe 1.4
- M.2-Kühlkörper
- Ergänzungen: Hinweis| Diese Modell wurde vor 2023 mit Micron TLC 176 Layer NAND bestückt ausgeliefert.
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bei Bestellung Versand heute, den 15.10
- Kapazität: 960GB (entspricht ca. 894.07GiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Drive (SSD)
- Formfaktor: 2.5
- Schnittstelle: U.2/SFF-8639 (PCIe 4.0 x4)
- Lesen: 6500MB/s
- Schreiben: 1500MB/s
- IOPS 4K: 580k lesend, 70k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung, 128 Layer (V-NAND v6)
- TBW: 1.37PB (entspricht TBW von 1427.1TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden
- Controller: Samsung Elpis/S4LV003, 8 Kanäle
- Protokoll: NVMe 1.4, NVMe-MI
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0, Power-Loss Protection
- Ergänzungen: Achtung| OEM-Produkt. Kein Support und Herstellergarantie für Endkunden!
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bei Bestellung Versand heute, den 15.10
- Kapazität: 1TB (entspricht ca. 931.32GiB bzw. 0.91TiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
- Lesen: 7450MB/s
- Schreiben: 6900MB/s SLC-Cached
- IOPS 4K: 1200k lesend, 1550k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung
- TBW: 600TB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Samsung Pascal
- Cache: 1GB (LPDDR4), SLC-Cache
- Protokoll: NVMe 2.0
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
- L1.2 Low-Power-Standby
- Ergänzungen: Hinweis| Dieses Modell ist mit unterschiedlichen Controller- und Speicherbaustein-Bestückungen erhältlich. TBW kann vom ursprünglichen Datenblatt abweichen.
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bei Bestellung Versand heute, den 15.10
- Kapazität: 4TB (entspricht ca. 3725.29GiB bzw. 3.64TiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
- Lesen: 4800MB/s
- Schreiben: 4100MB/s SLC-Cached
- Speichermodule: 3D-NAND QLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2)
- TBW: 800TB (entspricht TBW von 200TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTTF)
- Controller: Phison PS5021-E21T, 4 Kanäle
- Cache: SLC-Cache
- Protokoll: NVMe 1.4
weitere Informationen
bei Bestellung Versand heute, den 15.10
- Kapazität: 512GB (entspricht ca. 476.84GiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
- Lesen: 2200MB/s
- Schreiben: 1600MB/s SLC-Cached
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Micron, 64 Layer (Generation 2)
- TBW: 300TB (entspricht TBW von 585.9TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Silicon Motion SM2263XT, 4 Kanäle
- Cache: SLC-Cache
- Protokoll: NVMe 1.3
weitere Informationen
bei Bestellung Versand heute, den 15.10
- Kapazität: 1TB (entspricht ca. 931.32GiB bzw. 0.91TiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
- Lesen: 5000MB/s
- Schreiben: 3600MB/s SLC-Cached
- Speichermodule: 3D-NAND QLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2)
- TBW: 220TB (entspricht TBW von 220TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTTF)
- Controller: Phison PS5021-E21T, 4 Kanäle
- Cache: SLC-Cache
- Protokoll: NVMe 1.4
weitere Informationen
bei Bestellung Versand heute, den 15.10
- Kapazität: 2TB (entspricht ca. 1862.65GiB bzw. 1.82TiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
- Lesen: 3500MB/s
- Schreiben: 3000MB/s SLC-Cached
- IOPS 4K: 300k lesend, 256k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC
- TBW: 1PB (entspricht TBW von 500TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
- Cache: SLC-Cache
- Protokoll: NVMe 1.4
weitere Informationen
bei Bestellung Versand heute, den 15.10
- Kapazität: 2TB (entspricht ca. 1862.65GiB bzw. 1.82TiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
- Lesen: 7400MB/s
- Schreiben: 6500MB/s SLC-Cached
- IOPS 4K: 1000k lesend, 900k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, YMTC, 232 Layer
- TBW: 1.5PB
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Maxiotek MAP1602A, 4 Kanäle
- Cache: SLC-Cache
- Protokoll: NVMe 1.4
weitere Informationen
bei Bestellung Versand heute, den 15.10
- Kapazität: 500GB (entspricht ca. 465.66GiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
- Lesen: 5000MB/s
- Schreiben: 2600MB/s SLC-Cached
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, 232 Layer
- TBW: 300TB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Maxiotek MAP1602A, 4 Kanäle
- Cache: SLC-Cache
- Protokoll: NVMe 1.4
weitere Informationen
bei Bestellung Versand heute, den 15.10
- Kapazität: 1TB (entspricht ca. 931.32GiB bzw. 0.91TiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) oder M.2/M-Key (PCIe 5.0 x2)
- Lesen: 5000MB/s
- Schreiben: 4200MB/s SLC-Cached
- IOPS 4K: 680k lesend, 800k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung, 133 Layer (V-NAND v6 Prime)
- TBW: 600TB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Samsung Piccolo/S4LY022, 4 Kanäle
- Cache: SLC-Cache
- Protokoll: NVMe 2.0
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
- L1.2 Low-Power-Standby
weitere Informationen
bei Bestellung Versand heute, den 15.10
- Kapazität: 2TB (entspricht ca. 1862.65GiB bzw. 1.82TiB, weiterführende Informationen hierzu)
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
- Lesen: 7000MB/s
- Schreiben: 5100MB/s SLC-Cached
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Kioxia, 96 Layer (BiCS4)
- TBW: 1.2PB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
- Controller: Western Digital Black G2, 8 Kanäle
- Cache: 2GB (DDR4-2666), SLC-Cache
- Protokoll: NVMe 1.4
weitere Informationen
bei Bestellung Versand heute, den 15.10
- Kapazität: 512GB
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
- Lesen: 2000MB/s
- Schreiben: 1600MB/s SLC-Cached
- IOPS 4K: 173k lesend, 140k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC
- Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
- Controller: Silicon Motion SM2263XT, 4 Kanäle
- Cache: SLC-Cache
- Protokoll: NVMe 1.3
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Eine M.2 SSD (Solid-State Drive) ist eine Art interne Festplatte mit einem M.2 Formfaktor, der in Laptops, Ultrabooks und Desktop-Computern eingesetzt wird. Hier sind einige wichtige Informationen über M.2 SSDs:
Geschwindigkeit und Leistung: M.2 SSDs bieten eine hohe Datenübertragungsgeschwindigkeit und Leistung. Sie verwenden die NVMe (Non-Volatile Memory Express) Schnittstelle, die schnellere Lese- und Schreibgeschwindigkeiten im Vergleich zu herkömmlichen SATA-Schnittstellen ermöglicht. Dadurch werden Anwendungen schneller geladen und Dateiübertragungen beschleunigt.
Formfaktor: M.2 SSDs haben einen kompakten Formfaktor und sind in verschiedenen Größen erhältlich, darunter 2242, 2260 und 2280, die sich auf die Breite und Länge der Karte beziehen. Dies ermöglicht eine platzsparende Installation in Geräten mit begrenztem Platzangebot.
Kapazität: M.2 SSDs sind in verschiedenen Speicherkapazitäten erhältlich, von einigen Hundert Gigabyte bis zu mehreren Terabyte. Sie bieten ausreichend Platz für Betriebssysteme, Programme, Daten und Multimedia-Inhalte.
Zuverlässigkeit: M.2 SSDs haben keine beweglichen Teile wie rotierende Festplattenscheiben, was sie stoßfest und weniger anfällig für Datenverlust durch Erschütterungen oder Stöße macht. Sie sind langlebig und bieten eine hohe Zuverlässigkeit.
Kompatibilität: M.2 SSDs sind mit Motherboards kompatibel, die über einen M.2-Steckplatz verfügen. Es ist wichtig, die Kompatibilität des Motherboards zu überprüfen, da M.2 Steckplätze verschiedene Schnittstellen unterstützen können, einschließlich SATA und NVMe.
Energieeffizienz: M.2 SSDs verbrauchen im Allgemeinen weniger Energie als herkömmliche Festplatten, was zu einer längeren Batterielaufzeit bei Verwendung mit Laptops oder anderen mobilen Geräten führt.
Upgrade-Möglichkeit: Der Einbau einer M.2 SSD in ein kompatibles System kann die Leistung erheblich verbessern. Es ermöglicht schnellere Boot-Zeiten, schnellere Datenzugriffe und eine bessere allgemeine Systemleistung.
M.2 SSDs bieten eine schnelle und zuverlässige Speicherlösung für Computer und andere Geräte mit M.2-Steckplatz. Dank ihrer hohen Geschwindigkeit, Zuverlässigkeit und Kapazität sind sie ideal für anspruchsvolle Anwendungen, Gaming, Multimedia und andere Aufgaben, die eine schnelle Datenverarbeitung erfordern.