• Kapazität: 7.68TB (entspricht ca. 7152.56GiB bzw. 6.98TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Drive (SSD)
• Formfaktor: 2.5
• Schnittstelle: U.3/SFF-TA-1001 (PCIe 4.0 x4) oder U.3/SFF-TA-1001 (2x PCIe 4.0 x2)
• Lesen: 6800MB/s
Schreiben: 5600MB/s
IOPS 4K: 1000k lesend, 210k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2)
TBW: 14PB
Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTTF)
Protokoll: NVMe 1.4
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, Power-Loss Protection
weitere Informationen

• Kapazität: 15.36TB (entspricht ca. 14305.11GiB bzw. 13.97TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Drive (SSD)
• Formfaktor: 2.5
• Schnittstelle: U.3/SFF-TA-1001 (PCIe 4.0 x4) oder U.3/SFF-TA-1001 (2x PCIe 4.0 x2)
• Lesen: 6800MB/s
Schreiben: 5600MB/s
IOPS 4K: 1000k lesend, 250k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2)
TBW: 28PB
Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTTF)
Protokoll: NVMe 1.4
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, Power-Loss Protection
weitere Informationen

• Kapazität: 7.68TB (entspricht ca. 7152.56GiB bzw. 6.98TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Drive (SSD)
• Formfaktor: 2.5
• Schnittstelle: U.3/SFF-TA-1001 (PCIe 4.0 x4) oder U.3/SFF-TA-1001 (2x PCIe 4.0 x2)
• Lesen: 6800MB/s
Schreiben: 5600MB/s
IOPS 4K: 1000k lesend, 210k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2)
TBW: 14PB
Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTTF)
Protokoll: NVMe 1.4
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, Power-Loss Protection
weitere Informationen

• Kapazität: 1.92TB (entspricht ca. 1788.14GiB bzw. 1.75TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Drive (SSD)
• Formfaktor: 2.5
• Schnittstelle: U.3/SFF-TA-1001 (PCIe 4.0 x4) oder U.3/SFF-TA-1001 (2x PCIe 4.0 x2)
• Lesen: 6800MB/s
Schreiben: 2700MB/s
IOPS 4K: 800k lesend, 120k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2)
TBW: 3.65PB
Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTTF)
Protokoll: NVMe 1.4
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, Power-Loss Protection
weitere Informationen

• Kapazität: 1TB (entspricht ca. 931.32GiB bzw. 0.91TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Module (SSM)
• Formfaktor: M.2 2230
• Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
• Lesen: 4500MB/s
Schreiben: 3600MB/s SLC-Cached
IOPS 4K: 600k lesend, 650k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND QLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2)
TBW: 300TB
Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTTF)
Cache: SLC-Cache
Protokoll: NVMe 1.4
Datenschutzfunktionen: TCG Pyrite 2.0
weitere Informationen

• Typ: DDR4 DIMM 288-Pin, ECC
• Takt: 3200MHz
• Module: 1x 16GB
• JEDEC: PC4-25600E
• Ranks/Bänke: single rank, x8
CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
Spannung: 1.2V
Modulhöhe: 31.25mm
Standard-SPD
weitere Informationen

• Typ: DDR4 DIMM 288-Pin, ECC
• Takt: 3200MHz
• Module: 1x 32GB
• JEDEC: PC4-25600E
• Ranks/Bänke: dual rank, x8
CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
Spannung: 1.2V
Modulhöhe: 31.25mm
Standard-SPD
weitere Informationen

• Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin, ECC
• Takt: 3200MHz
• Module: 1x 16GB
• JEDEC: PC4-25600S
• Ranks/Bänke: single rank, x8
CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
Spannung: 1.2V
Modulhöhe: 30mm
Standard-SPD
weitere Informationen

• Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin, ECC
• Takt: 3200MHz
• Module: 1x 32GB
• JEDEC: PC4-25600S
• Ranks/Bänke: dual rank, x8
CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
Spannung: 1.2V
Modulhöhe: 30mm
Standard-SPD
weitere Informationen

• Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
• Takt: 3200MHz
• Module: 1x 64GB
• JEDEC: PC4-25600R
• Ranks/Bänke: dual rank, x4
CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
Spannung: 1.2V
Modulhöhe: 31.25mm
Standard-SPD
weitere Informationen

• Kapazität: 1.92TB (entspricht ca. 1788.14GiB bzw. 1.75TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Module (SSM)
• Formfaktor: M.2 22110
• Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
• Lesen: 5000MB/s
Schreiben: 2400MB/s
IOPS 4K: 735k lesend, 120k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2)
TBW: 3.65PB
Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTTF)
Protokoll: NVMe 1.4
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, Power-Loss Protection
weitere Informationen

Micron MTA9ASF2G72PZ-3G2F1R. Komponente für: PC / Server, RAM-Speicher: 16 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 16 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 3200 MHz, CAS Latenz: 22

• Kapazität: 480GB (entspricht ca. 447.03GiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Module (SSM)
• Formfaktor: M.2 2280
• Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
• Lesen: 4400MB/s
Schreiben: 530MB/s
IOPS 4K: 120k lesend, 25k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Micron, 96 Layer (Generation 3)
TBW: 800TB (standard), 3.8PB (sequentiell)
Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTTF)
Controller: Micron
Cache: DRAM-Cache Speichervolumen nicht erfasst oder unterschiedliche Größen möglich (DDR3L)
Protokoll: NVMe 1.4
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, Power-Loss Protection
weitere Informationen

Micron MTC40F2046S1RC48BA1R. Komponente für: PC / Server, Speicherkapazität: 64 GB, Interner Speichertyp: DDR5, Speichertaktfrequenz: 4800 MHz, CAS Latenz: 40

• Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
• Takt: 3200MHz
• Module: 1x 16GB
• JEDEC: PC4-25600R
• Ranks/Bänke: dual rank, x8
CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
Spannung: 1.2V
Modulhöhe: 31.25mm
Standard-SPD
weitere Informationen

• Kapazität: 960GB (entspricht ca. 894.07GiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Drive (SSD)
• Formfaktor: 2.5
• Schnittstelle: U.3/SFF-TA-1001 (PCIe 4.0 x4) oder U.3/SFF-TA-1001 (2x PCIe 4.0 x2)
• Lesen: 6800MB/s
Schreiben: 1400MB/s
IOPS 4K: 530k lesend, 85k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2)
TBW: 1.7PB
Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTTF)
Protokoll: NVMe 1.4
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, Power-Loss Protection
weitere Informationen

• Kapazität: 800GB (entspricht ca. 745.06GiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Drive (SSD)
• Formfaktor: 2.5
• Schnittstelle: U.3/SFF-TA-1001 (PCIe 4.0 x4) oder U.3/SFF-TA-1001 (2x PCIe 4.0 x2)
• Lesen: 6800MB/s
Schreiben: 1400MB/s
IOPS 4K: 530k lesend, 145k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2)
TBW: 4.3PB
Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTTF)
Protokoll: NVMe 1.4
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, Power-Loss Protection
weitere Informationen

• Kapazität: 3.2TB (entspricht ca. 2980.23GiB bzw. 2.91TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Drive (SSD)
• Formfaktor: 2.5
• Schnittstelle: U.3/SFF-TA-1001 (PCIe 4.0 x4) oder U.3/SFF-TA-1001 (2x PCIe 4.0 x2)
• Lesen: 6800MB/s
Schreiben: 5300MB/s
IOPS 4K: 1000k lesend, 390k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2)
TBW: 17.5PB
Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTTF)
Protokoll: NVMe 1.4
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, Power-Loss Protection
weitere Informationen

• Kapazität: 6.4TB (entspricht ca. 5960.46GiB bzw. 5.82TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Drive (SSD)
• Formfaktor: 2.5
• Schnittstelle: U.3/SFF-TA-1001 (PCIe 4.0 x4) oder U.3/SFF-TA-1001 (2x PCIe 4.0 x2)
• Lesen: 6800MB/s
Schreiben: 5600MB/s
IOPS 4K: 1000k lesend, 400k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2)
TBW: 35PB
Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTTF)
Protokoll: NVMe 1.4
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, Power-Loss Protection
weitere Informationen

• Kapazität: 12.8TB (entspricht ca. 11920.93GiB bzw. 11.64TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Drive (SSD)
• Formfaktor: 2.5
• Schnittstelle: U.3/SFF-TA-1001 (PCIe 4.0 x4) oder U.3/SFF-TA-1001 (2x PCIe 4.0 x2)
• Lesen: 6800MB/s
Schreiben: 5600MB/s
IOPS 4K: 1000k lesend, 410k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2)
TBW: 70PB
Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTTF)
Protokoll: NVMe 1.4
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, Power-Loss Protection
weitere Informationen