- Kapazität: 7.68TB
- Bauform: Solid State Drive (SSD)
- Formfaktor: 2.5
- Schnittstelle: U.3/SFF-TA-1001 (PCIe 4.0 x4) oder U.3/SFF-TA-1001 (2x PCIe 4.0 x2)
- Lesen: 6800MB/s
- Schreiben: 5600MB/s
- IOPS 4K: 1000k lesend, 210k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2)
- TBW: 14PB
- Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTTF)
- Protokoll: NVMe 1.4
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES, Power-Loss Protection
weitere Informationen
bei Bestellung Versand am Montag, den 22.04
- Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
- Takt: 3200MHz
- Module: 1x 32GB
- JEDEC: PC4-25600R
- Ranks/Bänke: dual rank, x8
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 31.25mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
bei Bestellung Versand am Montag, den 22.04
- Typ: DDR4 DIMM 288-Pin, ECC
- Takt: 3200MHz
- Module: 1x 32GB
- JEDEC: PC4-25600E
- Ranks/Bänke: dual rank, x8
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 31.25mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Kapazität: 7.68TB
- Bauform: Solid State Drive (SSD)
- Formfaktor: 2.5
- Schnittstelle: U.3/SFF-TA-1001 (PCIe 4.0 x4) oder U.3/SFF-TA-1001 (2x PCIe 4.0 x2)
- Lesen: 6800MB/s
- Schreiben: 5600MB/s
- IOPS 4K: 1000k lesend, 210k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2)
- TBW: 14PB
- Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTTF)
- Protokoll: NVMe 1.4
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES, Power-Loss Protection
weitere Informationen
- Kapazität: 1.92TB
- Bauform: Solid State Drive (SSD)
- Formfaktor: 2.5
- Schnittstelle: U.3/SFF-TA-1001 (PCIe 4.0 x4) oder U.3/SFF-TA-1001 (2x PCIe 4.0 x2)
- Lesen: 6800MB/s
- Schreiben: 2700MB/s
- IOPS 4K: 800k lesend, 120k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2)
- TBW: 3.65PB
- Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTTF)
- Protokoll: NVMe 1.4
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES, Power-Loss Protection
weitere Informationen
- Kapazität: 1TB
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2230
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
- Lesen: 4500MB/s
- Schreiben: 3600MB/s SLC-Cached
- IOPS 4K: 600k lesend, 650k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND QLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2)
- TBW: 300TB
- Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTTF)
- Cache: SLC-Cache
- Protokoll: NVMe 1.4
- Datenschutzfunktionen: TCG Pyrite 2.0
weitere Informationen
- Typ: DDR4 DIMM 288-Pin, ECC
- Takt: 3200MHz
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC4-25600E
- Ranks/Bänke: single rank, x8
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 31.25mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Kapazität: 15.36TB
- Bauform: Solid State Drive (SSD)
- Formfaktor: 2.5
- Schnittstelle: U.3/SFF-TA-1001 (PCIe 4.0 x4) oder U.3/SFF-TA-1001 (2x PCIe 4.0 x2)
- Lesen: 6800MB/s
- Schreiben: 5600MB/s
- IOPS 4K: 1000k lesend, 250k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2)
- TBW: 28PB
- Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTTF)
- Protokoll: NVMe 1.4
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES, Power-Loss Protection
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin, ECC
- Takt: 3200MHz
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC4-25600S
- Ranks/Bänke: single rank, x8
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin, ECC
- Takt: 3200MHz
- Module: 1x 32GB
- JEDEC: PC4-25600S
- Ranks/Bänke: dual rank, x8
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Kapazität: 512GB
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2230
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
- Lesen: 4200MB/s
- Schreiben: 1800MB/s SLC-Cached
- IOPS 4K: 400k lesend, 400k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND QLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2)
- TBW: 150TB
- Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTTF)
- Cache: SLC-Cache
- Protokoll: NVMe 1.4
- Datenschutzfunktionen: TCG Pyrite 2.0
weitere Informationen
- Kapazität: 1.92TB
- Bauform: Solid State Drive (SSD)
- Formfaktor: 2.5
- Schnittstelle: SATA 6Gb/s
- Lesen: 540MB/s
- Schreiben: 520MB/s
- IOPS 4K: 94k lesend, 63k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2)
- TBW: 17.52PB
- Zuverlässigkeitsprognose: 3 Mio. Stunden (MTTF)
- Protokoll: AHCI
- Datenschutzfunktionen: Power-Loss Protection
weitere Informationen
Micron MTA9ASF2G72PZ-3G2F1R. Komponente für: PC / Server, RAM-Speicher: 16 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 16 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 3200 MHz, CAS Latenz: 22
- Kapazität: 480GB
- Bauform: Solid State Module (SSM)
- Formfaktor: M.2 2280
- Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
- Lesen: 4400MB/s
- Schreiben: 530MB/s
- IOPS 4K: 120k lesend, 25k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Micron, 96 Layer (Generation 3)
- TBW: 800TB (standard), 3.8PB (sequentiell)
- Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTTF)
- Controller: Micron
- Cache: DRAM-Cache Speichervolumen nicht erfasst oder unterschiedliche Größen möglich (DDR3L)
- Protokoll: NVMe 1.4
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES, Power-Loss Protection
weitere Informationen
bei Bestellung Versand am Montag, den 22.04
Micron MTC10F1084S1RC48BA1R. Komponente für: PC / Server, Speicherkapazität: 16 GB, Interner Speichertyp: DDR5, Speichertaktfrequenz: 4800 MHz, CAS Latenz: 40
Micron MTC20F2085S1RC48BA1R. Komponente für: PC, Speicherkapazität: 32 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 2 x 16 GB, Interner Speichertyp: DDR5, Speichertaktfrequenz: 4800 MHz, CAS Latenz: 40
Micron MTC40F2046S1RC48BA1R. Komponente für: PC / Server, Speicherkapazität: 64 GB, Interner Speichertyp: DDR5, Speichertaktfrequenz: 4800 MHz, CAS Latenz: 40
- Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
- Takt: 3200MHz
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC4-25600R
- Ranks/Bänke: dual rank, x8
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 31.25mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
- Takt: 3200MHz
- Module: 1x 32GB
- JEDEC: PC4-25600R
- Ranks/Bänke: dual rank, x4
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 31.25mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Kapazität: 960GB
- Bauform: Solid State Drive (SSD)
- Formfaktor: 2.5
- Schnittstelle: U.3/SFF-TA-1001 (PCIe 4.0 x4) oder U.3/SFF-TA-1001 (2x PCIe 4.0 x2)
- Lesen: 6800MB/s
- Schreiben: 1400MB/s
- IOPS 4K: 530k lesend, 85k schreibend
- Speichermodule: 3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2)
- TBW: 1.7PB
- Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTTF)
- Protokoll: NVMe 1.4
- Datenschutzfunktionen: 256bit AES, Power-Loss Protection