• Kapazität: 1TB (entspricht ca. 931.32GiB bzw. 0.91TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Module (SSM)
• Formfaktor: M.2 2280
• Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
• Lesen: 7450MB/s
Schreiben: 6900MB/s SLC-Cached
IOPS 4K: 1200k lesend, 1550k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung
TBW: 600TB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
Controller: Samsung Pascal
Cache: 1GB (LPDDR4), SLC-Cache
Protokoll: NVMe 2.0
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
L1.2 Low-Power-Standby
Ergänzungen: Hinweis| Dieses Modell ist mit unterschiedlichen Controller- und Speicherbaustein-Bestückungen erhältlich. TBW kann vom ursprünglichen Datenblatt abweichen.
weitere Informationen

• Kapazität: 250GB (entspricht ca. 232.83GiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Module (SSM)
• Formfaktor: M.2 2280
• Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
• Lesen: 3500MB/s
Schreiben: 2300MB/s SLC-Cached (400MB/s TLC)
IOPS 4K: 250k lesend, 550k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung, 96 Layer (V-NAND v5)
TBW: 150TB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
Controller: Samsung Phoenix/Elpis, 8 Kanäle
Cache: 512MB (LPDDR4), SLC-Cache (dynamisch ab 4GB bis 13GB)
Protokoll: NVMe 1.3
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
L1.2 Low-Power-Standby
weitere Informationen

• Kapazität: 2TB (entspricht ca. 1862.65GiB bzw. 1.82TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Module (SSM)
• Formfaktor: M.2 2280
• Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
• Lesen: 7000MB/s
Schreiben: 5100MB/s SLC-Cached (2000MB/s TLC)
IOPS 4K: 1000k lesend, 1000k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung, 128 Layer (V-NAND v6)
TBW: 1.3PB (entspricht TBW von 650TB pro TB Kapazität)
Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
Controller: Samsung Elpis/S4LV003, 8 Kanäle
Cache: 2GB (LPDDR4), SLC-Cache (dynamisch ab 6GB bis 36GB)
Protokoll: NVMe 1.3c
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
L1.2 Low-Power-Standby
weitere Informationen

• Kapazität: 2TB (entspricht ca. 1862.65GiB bzw. 1.82TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Module (SSM)
• Formfaktor: M.2 2280
• Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
• Lesen: 7450MB/s
Schreiben: 6900MB/s SLC-Cached
IOPS 4K: 1400k lesend, 1550k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung
TBW: 1.2PB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
Controller: Samsung Pascal
Cache: 2GB (LPDDR4), SLC-Cache
Protokoll: NVMe 2.0
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
L1.2 Low-Power-Standby
Ergänzungen: Hinweis| Dieses Modell ist mit unterschiedlichen Controller- und Speicherbaustein-Bestückungen erhältlich. TBW kann vom ursprünglichen Datenblatt abweichen.
weitere Informationen

• Kapazität: 4TB (entspricht ca. 3725.29GiB bzw. 3.64TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Datenträger: 4TB SSD (SATA 6Gb/s, AHCI)
• Formfaktor: proprietär
• Anschlüsse extern: 1x USB-C 3.0 (5Gb/s)
• Anschlüsse via Lieferumfang: 1x USB-C (Stecker via abnehmbarem Kabel)
Chipsatz: ASMedia ASM235CM
Datenschutzfunktionen: 256bit AES-Verschlüsselung
Gewicht: 102g
Farbe: schwarz; Herstellerbezeichnung| Black
inkl. Kabel (USB-C)
weitere Informationen

• Kapazität: 1TB (entspricht ca. 931.32GiB bzw. 0.91TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Module (SSM)
• Formfaktor: M.2 2280
• Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) oder M.2/M-Key (PCIe 5.0 x2)
• Lesen: 7150MB/s
Schreiben: 6300MB/s SLC-Cached
IOPS 4K: 850k lesend, 1350k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung
TBW: 600TB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
Controller: Samsung Piccolo/S4LY022, 4 Kanäle
Cache: SLC-Cache
Protokoll: NVMe 2.0
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0, Microsoft eDrive
L1.2 Low-Power-Standby
weitere Informationen

• Kapazität: 4TB (entspricht ca. 3725.29GiB bzw. 3.64TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Module (SSM)
• Formfaktor: M.2 2280
• Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) oder M.2/M-Key (PCIe 5.0 x2)
• Lesen: 7250MB/s
Schreiben: 6300MB/s SLC-Cached
IOPS 4K: 1050k lesend, 1400k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung
TBW: 2.4PB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
Controller: Samsung Piccolo/S4LY022, 4 Kanäle
Cache: SLC-Cache
Protokoll: NVMe 2.0
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0, Microsoft eDrive
L1.2 Low-Power-Standby
weitere Informationen

• Kapazität: 2TB (entspricht ca. 1862.65GiB bzw. 1.82TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Module (SSM)
• Formfaktor: M.2 2280
• Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) oder M.2/M-Key (PCIe 5.0 x2)
• Lesen: 7250MB/s
Schreiben: 6300MB/s SLC-Cached
IOPS 4K: 1000k lesend, 1350k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung
TBW: 1.2PB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
Controller: Samsung Piccolo/S4LY022, 4 Kanäle
Cache: SLC-Cache
Protokoll: NVMe 2.0
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0, Microsoft eDrive
L1.2 Low-Power-Standby
weitere Informationen

• Kapazität: 2TB (entspricht ca. 1862.65GiB bzw. 1.82TiB, weiterführende Informationen)
• Bauform: Solid State Module (SSM)
• Formfaktor: M.2 2280
• Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 5.0 x4)
• Lesen: 14700MB/s
Schreiben: 13400MB/s SLC-Cached
IOPS 4K: 1850k lesend, 2600k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung, 236 Layer (V-NAND v8)
TBW: 1.2PB (entspricht 600TB pro TB Kapazität)
Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
Controller: Samsung Presto
DRAM-Cache: ja, 2GB LPDDR4X
SLC-Cache: ja, dynamisch bis 226GB
Protokoll: NVMe 2.0
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
L1.2 Low-Power-Standby
weitere Informationen

• Kapazität: 1TB (entspricht ca. 931.32GiB bzw. 0.91TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Module (SSM)
• Formfaktor: M.2 2280
• Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
• Lesen: 7450MB/s
Schreiben: 6900MB/s SLC-Cached
IOPS 4K: 1200k lesend, 1550k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung
TBW: 600TB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
Controller: Samsung Pascal
Cache: 1GB (LPDDR4), SLC-Cache
Protokoll: NVMe 2.0
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
M.2-Kühlkörper, L1.2 Low-Power-Standby, LED-Beleuchtung (RGB)
Ergänzungen: Hinweis| Dieses Modell ist mit unterschiedlichen Controller- und Speicherbaustein-Bestückungen erhältlich. TBW kann vom ursprünglichen Datenblatt abweichen.
weitere Informationen

• Kapazität: 2TB (entspricht ca. 1862.65GiB bzw. 1.82TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Module (SSM)
• Formfaktor: M.2 2280
• Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
• Lesen: 7000MB/s
Schreiben: 5200MB/s SLC-Cached
IOPS 4K: 1000k lesend, 850k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung, 128 Layer (V-NAND v6)
TBW: 1.2PB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
Controller: Samsung Elpis/S4LV003, 8 Kanäle
Cache: 2GB (LPDDR4), SLC-Cache
Protokoll: NVMe 1.3c
L1.2 Low-Power-Standby
Ergänzungen: Achtung| OEM-Produkt. Kein Support und Herstellergarantie für Endkunden!
weitere Informationen

• Kapazität: 1TB (entspricht ca. 931.32GiB bzw. 0.91TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Module (SSM)
• Formfaktor: M.2 2280
• Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
• Lesen: 7000MB/s
Schreiben: 5100MB/s SLC-Cached
IOPS 4K: 1000k lesend, 850k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung, 128 Layer (V-NAND v6)
TBW: 600TB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
Controller: Samsung Elpis/S4LV003, 8 Kanäle
Cache: 1GB (LPDDR4), SLC-Cache
Protokoll: NVMe 1.3c
L1.2 Low-Power-Standby
Ergänzungen: Achtung| OEM-Produkt. Kein Support und Herstellergarantie für Endkunden!
weitere Informationen

• Bauform: Solid State Module (SSM)
• Formfaktor: M.2 2280
• Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
• Lesen: 3500MB/s
• Schreiben: 3000MB/s SLC-Cached
IOPS 4K lesen/schreiben: 500k/480k
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung, 128 Layer (V-NAND v6)
TBW: 600TB
Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
Controller: Samsung Pablo
Cache: SLC-Cache (max. 160GB)
Protokoll: NVMe 1.4
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
Abmessungen: 80x22x2.38mm
L1.2 Low-Power-Standby
weitere Informationen

• Kapazität: 250GB (entspricht ca. 232.83GiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Module (SSM)
• Formfaktor: M.2 2280
• Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 3.0 x4)
• Lesen: 2900MB/s
Schreiben: 1300MB/s SLC-Cached
IOPS 4K: 230k lesend, 320k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung, 128 Layer (V-NAND v6)
TBW: 150TB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
Controller: Samsung Pablo
Cache: SLC-Cache (dynamisch bis 45GB)
Protokoll: NVMe 1.4
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
L1.2 Low-Power-Standby
weitere Informationen

• Kapazität: 2TB (entspricht ca. 1862.65GiB bzw. 1.82TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Module (SSM)
• Formfaktor: M.2 2280
• Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
• Lesen: 7450MB/s
Schreiben: 6900MB/s SLC-Cached
IOPS 4K: 1400k lesend, 1550k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung
TBW: 1.2PB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
Controller: Samsung Pascal
Cache: 2GB (LPDDR4), SLC-Cache
Protokoll: NVMe 2.0
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
M.2-Kühlkörper, L1.2 Low-Power-Standby, LED-Beleuchtung (RGB)
Ergänzungen: Hinweis| Dieses Modell ist mit unterschiedlichen Controller- und Speicherbaustein-Bestückungen erhältlich. TBW kann vom ursprünglichen Datenblatt abweichen.
weitere Informationen

• Kapazität: 4TB (entspricht ca. 3725.29GiB bzw. 3.64TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Module (SSM)
• Formfaktor: M.2 2280
• Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
• Lesen: 7450MB/s
Schreiben: 6900MB/s SLC-Cached
IOPS 4K: 1600k lesend, 1550k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung
TBW: 2.4PB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
Controller: Samsung Pascal
Cache: 4GB (LPDDR4), SLC-Cache
Protokoll: NVMe 2.0
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
L1.2 Low-Power-Standby
Ergänzungen: Hinweis| Dieses Modell ist mit unterschiedlichen Controller- und Speicherbaustein-Bestückungen erhältlich. TBW kann vom ursprünglichen Datenblatt abweichen.
weitere Informationen

• Kapazität: 2TB (entspricht ca. 1862.65GiB bzw. 1.82TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Module (SSM)
• Formfaktor: M.2 2280
• Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4) oder M.2/M-Key (PCIe 5.0 x2)
• Lesen: 5000MB/s
Schreiben: 4200MB/s SLC-Cached
IOPS 4K: 700k lesend, 800k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung, 133 Layer (V-NAND v6 Prime)
TBW: 1.2PB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
Controller: Samsung Piccolo/S4LY022, 4 Kanäle
Cache: SLC-Cache
Protokoll: NVMe 2.0
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
L1.2 Low-Power-Standby
weitere Informationen

• Kapazität: 4TB (entspricht ca. 3725.29GiB bzw. 3.64TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Module (SSM)
• Formfaktor: M.2 2280
• Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
• Lesen: 7450MB/s
Schreiben: 6900MB/s SLC-Cached
IOPS 4K: 1600k lesend, 1550k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung
TBW: 2.4PB (entspricht TBW von 600TB pro TB Kapazität)
Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
Controller: Samsung Pascal
Cache: 4GB (LPDDR4), SLC-Cache
Protokoll: NVMe 2.0
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
M.2-Kühlkörper, L1.2 Low-Power-Standby, LED-Beleuchtung (RGB)
Ergänzungen: Hinweis| Dieses Modell ist mit unterschiedlichen Controller- und Speicherbaustein-Bestückungen erhältlich. TBW kann vom ursprünglichen Datenblatt abweichen.
weitere Informationen

• Kapazität: 2TB (entspricht ca. 1862.65GiB bzw. 1.82TiB, weiterführende Informationen)
• Bauform: Solid State Module (SSM)
• Formfaktor: M.2 2280
• Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 5.0 x4)
• Lesen: 14700MB/s
Schreiben: 13400MB/s SLC-Cached
IOPS 4K: 1850k lesend, 2600k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Samsung, 236 Layer (V-NAND v8)
TBW: 1.2PB (entspricht 600TB pro TB Kapazität)
Zuverlässigkeitsprognose: 1.5 Mio. Stunden (MTBF)
Controller: Samsung Presto
DRAM-Cache: ja, 2GB LPDDR4X
SLC-Cache: ja, dynamisch bis 226GB
Protokoll: NVMe 2.0
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
L1.2 Low-Power-Standby
weitere Informationen

Samsung 970 EVO Plus. SSD Speicherkapazität: 2 TB, SSD-Formfaktor: M.2, Lesegeschwindigkeit: 3500 MB/s, Schreibgeschwindigkeit: 3300 MB/s, Komponente für: PC