• Kapazität: 500GB (entspricht ca. 465.66GiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Datenträger: 500GB SSD (PCIe, NVMe)
• Formfaktor: proprietär
• Anschlüsse extern: 1x USB-C 3.2 (20Gb/s, Buchse)
• Anschlüsse via Lieferumfang: 1x USB-C (Stecker via abnehmbarem Kabel)
Chipsatz: Silicon Motion SM2320 (4 Kanäle)
Abmessungen: 69.5x32.6x13.5mm
Gewicht: 28.9g
Farbe: grau
Gummiummantelung, Aluminiumgehäuse, IP55 zertifiziert (Staubschutz/Strahlwasserschutz), inkl. Kabel (USB-C)
weitere Informationen

• Kapazität: 1TB (entspricht ca. 931.32GiB bzw. 0.91TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Module (SSM)
• Formfaktor: M.2 2280
• Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
• Lesen: 6000MB/s
Schreiben: 4000MB/s SLC-Cached
Speichermodule: 3D-NAND QLC, Kioxia, 162 Layer
TBW: 320TB (entspricht TBW von 320TB pro TB Kapazität)
Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTBF)
Controller: Silicon Motion SM2268XT2, 4 Kanäle
Cache: SLC-Cache
Protokoll: NVMe 2.0
weitere Informationen

• Kapazität: 2TB (entspricht ca. 1862.65GiB bzw. 1.82TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Module (SSM)
• Formfaktor: M.2 2280
• Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
• Lesen: 6000MB/s
Schreiben: 5000MB/s SLC-Cached
Speichermodule: 3D-NAND QLC, Kioxia, 162 Layer
TBW: 640TB (entspricht TBW von 320TB pro TB Kapazität)
Zuverlässigkeitsprognose: 2 Mio. Stunden (MTBF)
Controller: Silicon Motion SM2268XT2, 4 Kanäle
Cache: SLC-Cache
Protokoll: NVMe 2.0
weitere Informationen

• Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
• Übertragung: 2133MT/s (2133MHz effektiv - abgeleitet von 1066.50MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
• Speichertakt: 267MHz (intern)
• Module: 1x 4GB
• JEDEC: PC4-17000R
Ranks/Bänke: single rank, x8
CAS Latency CL: 15 (entspricht 14.06ns)
Row-to-Column Delay tRCD: 15 (entspricht 14.06ns)
Row Precharge Time tRP: 15 (entspricht 14.06ns)
Spannung: 1.2V
Modulhöhe: 31.25mm
Standard-SPD, Temperatursensor
weitere Informationen

• Typ: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC
• Übertragung: 2400MT/s (2400MHz effektiv - abgeleitet von 1200MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
• Speichertakt: 300MHz (intern)
• Module: 1x 8GB
• JEDEC: PC4-19200R
Ranks/Bänke: single rank, x8
CAS Latency CL: 17 (entspricht 14.17ns)
Row-to-Column Delay tRCD: 17 (entspricht 14.17ns)
Row Precharge Time tRP: 17 (entspricht 14.17ns)
Spannung: 1.2V
Modulhöhe: 31.25mm
Standard-SPD, Micron A-Die, Temperatursensor
weitere Informationen

Kingston Technology System Specific Memory 8GB DDR4 2400MHz Module. Komponente für: PC / Server, RAM-Speicher: 8 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 8 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2400 MHz, Memory Formfaktor: 288-pin DIMM, CAS Latenz: 17, ECC, Produktfarbe: Grün

• Typ: DDR5 DIMM 288-Pin, on-die ECC
• Übertragung: 6000MT/s (6000MHz effektiv - abgeleitet von 3000MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
• Speichertakt: 375MHz (intern)
• Module: 1x 32GB
• JEDEC: PC5-48000U
Ranks/Bänke: dual rank, x8
CAS Latency CL: 36 (entspricht 12.00ns)
Row-to-Column Delay tRCD: 38 (entspricht 12.67ns)
Row Precharge Time tRP: 38 (entspricht 12.67ns)
Spannung: 1.35V
Modulhöhe: 34.9mm
Gehäuse: Heatspreader
Intel XMP 3.0/AMD EXPO
weitere Informationen

• Typ: DDR5 DIMM 288-Pin, on-die ECC
• Übertragung: 5600MT/s (5600MHz effektiv - abgeleitet von 2800MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
• Speichertakt: 350MHz (intern)
• Module: 2x 16GB
• JEDEC: PC5-44800U
Ranks/Bänke: single rank, x8
CAS Latency CL: 36 (entspricht 12.86ns)
Row-to-Column Delay tRCD: 38 (entspricht 13.57ns)
Row Precharge Time tRP: 38 (entspricht 13.57ns)
Spannung: 1.25V
Modulhöhe: 34.9mm
Gehäuse: Heatspreader
Intel XMP 3.0/AMD EXPO
weitere Informationen

• Typ: DDR5 DIMM 288-Pin, on-die ECC
• Übertragung: 5600MT/s (5600MHz effektiv - abgeleitet von 2800MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
• Speichertakt: 350MHz (intern)
• Module: 1x 32GB
• JEDEC: PC5-44800U
Ranks/Bänke: dual rank, x8
CAS Latency CL: 46 (entspricht 16.43ns)
Row-to-Column Delay tRCD: 45 (entspricht 16.07ns)
Row Precharge Time tRP: 45 (entspricht 16.07ns)
Spannung: 1.1V
Modulhöhe: 31.24mm
Standard-SPD
weitere Informationen

• Typ: Öse, ohne Schutzkappe
• Schnittstelle: USB-A 3.0 (5Gb/s)
• Kapazität: 128GB (entspricht ca. 119.21GiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Lesen: 200MB/s
• Schreiben: 60MB/s
Abmessungen: 39x12.6x4.9mm (LxBxH)
Gewicht: 4g
weitere Informationen

• Typ: Öse, mit Schutzkappe
• Schnittstelle: USB-A 3.0 (5Gb/s)
• Kapazität: 256GB (entspricht ca. 238.42GiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Abmessungen: 67.3x21.04x10.14mm (LxBxH)
• Gewicht: 11g
Farbe: schwarz
weitere Informationen

• Typ: Öse, ohne Schutzkappe
• Schnittstelle: USB-A 3.0 (5Gb/s)
• Kapazität: 128GB (entspricht ca. 119.21GiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Lesen: 200MB/s
• Abmessungen: 24.95x12.2x4.5mm (LxBxH)

• Kapazität: 1TB (entspricht ca. 931.32GiB bzw. 0.91TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Module (SSM)
• Formfaktor: M.2 2280
• Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
• Lesen: 7000MB/s
Schreiben: 6000MB/s SLC-Cached
IOPS 4K: 900k lesend, 1000k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC, Kioxia, 112 Layer (BiCS5)
TBW: 800TB (entspricht TBW von 800TB pro TB Kapazität)
Zuverlässigkeitsprognose: 1.8 Mio. Stunden (MTBF)
Controller: Phison PS5018-E18, 8 Kanäle
Cache: DRAM-Cache Speichervolumen nicht erfasst oder unterschiedliche Größen möglich (DDR4), SLC-Cache
Protokoll: NVMe 1.4
M.2-Kühlkörper
Ergänzungen: Hinweis| Diese Modell wurde vor 2023 mit Micron TLC 176 Layer NAND bestückt ausgeliefert.
weitere Informationen

• Kapazität: 2048GB (entspricht ca. 1907.35GiB bzw. 1.86TiB, weiterführende Informationen hierzu)
• Bauform: Solid State Drive (SSD)
• Formfaktor: 2.5
• Schnittstelle: SATA 6Gb/s
• Lesen: 550MB/s
Schreiben: 520MB/s
IOPS 4K: 90k lesend, 80k schreibend
Speichermodule: 3D-NAND TLC
TBW: 1.2PB (entspricht TBW von 585.9TB pro TB Kapazität)
Zuverlässigkeitsprognose: 1 Mio. Stunden (MTBF)
Controller: Silicon Motion SM2259, 4 Kanäle
Cache: DRAM-Cache Speichervolumen nicht erfasst oder unterschiedliche Größen möglich (DDR3L)
Protokoll: AHCI
Datenschutzfunktionen: 256bit AES, TCG Opal 2.0
weitere Informationen

• Typ: DDR5 DIMM 288-Pin, on-die ECC
• Übertragung: 5600MT/s (5600MHz effektiv - abgeleitet von 2800MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
• Speichertakt: 350MHz (intern)
• Module: 1x 16GB
• JEDEC: PC5-44800U
Ranks/Bänke: single rank, x8
CAS Latency CL: 46 (entspricht 16.43ns)
Row-to-Column Delay tRCD: 45 (entspricht 16.07ns)
Row Precharge Time tRP: 45 (entspricht 16.07ns)
Spannung: 1.1V
Modulhöhe: 31.24mm
Standard-SPD
weitere Informationen

• Typ: DDR5 DIMM 288-Pin, on-die ECC
• Übertragung: 5600MT/s (5600MHz effektiv - abgeleitet von 2800MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
• Speichertakt: 350MHz (intern)
• Module: 1x 32GB
• JEDEC: PC5-44800U
Ranks/Bänke: dual rank, x8
CAS Latency CL: 40 (entspricht 14.29ns)
Row-to-Column Delay tRCD: 40 (entspricht 14.29ns)
Row Precharge Time tRP: 40 (entspricht 14.29ns)
Spannung: 1.25V
Modulhöhe: 34.9mm
Gehäuse: Heatspreader
Intel XMP 3.0
weitere Informationen

• Typ: DDR5 DIMM 288-Pin, on-die ECC
• Übertragung: 6000MT/s (6000MHz effektiv - abgeleitet von 3000MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
• Speichertakt: 375MHz (intern)
• Module: 2x 32GB
• JEDEC: PC5-48000U
Ranks/Bänke: dual rank, x8
CAS Latency CL: 30 (entspricht 10.00ns)
Row-to-Column Delay tRCD: 36 (entspricht 12.00ns)
Row Precharge Time tRP: 36 (entspricht 12.00ns)
Spannung: 1.4V
Modulhöhe: 34.9mm
Gehäuse: Heatspreader
Intel XMP 3.0/AMD EXPO
weitere Informationen

• Typ: DDR5 DIMM 288-Pin, on-die ECC
• Übertragung: 6000MT/s (6000MHz effektiv - abgeleitet von 3000MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
• Speichertakt: 375MHz (intern)
• Module: 2x 16GB
• JEDEC: PC5-48000U
Ranks/Bänke: single rank, x8
CAS Latency CL: 30 (entspricht 10.00ns)
Row-to-Column Delay tRCD: 36 (entspricht 12.00ns)
Row Precharge Time tRP: 36 (entspricht 12.00ns)
Spannung: 1.4V
Modulhöhe: 34.9mm
Gehäuse: Heatspreader
Intel XMP 3.0/AMD EXPO
weitere Informationen

• Typ: DDR5 DIMM 288-Pin, on-die ECC
• Übertragung: 5600MT/s (5600MHz effektiv - abgeleitet von 2800MHz I/O-Takt mit Double Data Rate)
• Speichertakt: 350MHz (intern)
• Module: 1x 16GB
• JEDEC: PC5-44800U
Ranks/Bänke: single rank, x8
CAS Latency CL: 40 (entspricht 14.29ns)
Row-to-Column Delay tRCD: 40 (entspricht 14.29ns)
Row Precharge Time tRP: 40 (entspricht 14.29ns)
Spannung: 1.25V
Modulhöhe: 34.9mm
Gehäuse: Heatspreader
Intel XMP 3.0
weitere Informationen

• Formfaktor: DDR5 SO-DIMM 262-Pin
• Modultyp: UDIMM Non-ECC (Unbuffered)
• Datenrate: 5600MT/s
• Module: 1x 16GB
• ECC: On-Die ECC
JEDEC-Spezifikation: PC5-44800S
Spannung: 1.1V (JEDEC-Normspannung)
Modulhöhe: 30mm (JEDEC-Normhöhe)
Organisation: x8
JEDEC-Standardprofil (DDR5-5600/CL46)
CAS Latency (CL): 46 (16.43ns)
weitere Informationen