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Fujitsu FPCEN541BP. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 16 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 16 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 3200 MHz, Memory Formfaktor: 260-pin SO-DIMM
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 3200MHz
- Module: 1x 4GB
- JEDEC: PC4-25600S
- Ranks/Bänke: single rank, x8
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
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Fujitsu FPCEN709BP. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 8 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 3200 MHz, Memory Formfaktor: 260-pin SO-DIMM
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 3200MHz
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC4-25600S
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
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Crucial CT32G4SFD832AT. Komponente für: Laptop, Speicherkapazität: 32 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 32 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 3200 MHz, Memory Formfaktor: 260-pin SO-DIMM, CAS Latenz: 22
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 2133MHz
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC4-17000S
- Ranks/Bänke: dual rank, x8
- CAS Latency CL: 15 (entspricht 14.06ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 2400MHz
- Module: 1x 4GB
- JEDEC: PC4-19200S
- CAS Latency CL: 16 (entspricht 13.33ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 16 (entspricht 13.33ns)
- Row Precharge Time tRP: 16 (entspricht 13.33ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 39 (entspricht 32.50ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 2133MHz
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC4-17000S
- CAS Latency CL: 15 (entspricht 14.06ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 15 (entspricht 14.06ns)
- Row Precharge Time tRP: 15 (entspricht 14.06ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 36 (entspricht 33.76ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 2400MHz
- Module: 2x 8GB
- JEDEC: PC4-19200S
- CAS Latency CL: 16 (entspricht 13.33ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 16 (entspricht 13.33ns)
- Row Precharge Time tRP: 16 (entspricht 13.33ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 39 (entspricht 32.50ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 2666MHz
- Module: 2x 16GB
- JEDEC: PC4-21300S
- CAS Latency CL: 18 (entspricht 13.50ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 18 (entspricht 13.50ns)
- Row Precharge Time tRP: 18 (entspricht 13.50ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 43 (entspricht 32.26ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
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bei Bestellung Versand heute, den 26.04
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 2666MHz
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC4-21300S
- Ranks/Bänke: dual rank, x8
- CAS Latency CL: 19 (entspricht 14.25ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 19 (entspricht 14.25ns)
- Row Precharge Time tRP: 19 (entspricht 14.25ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 2666MHz
- Module: 1x 4GB
- JEDEC: PC4-21300S
- Ranks/Bänke: single rank, x16
- CAS Latency CL: 19 (entspricht 14.25ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 19 (entspricht 14.25ns)
- Row Precharge Time tRP: 19 (entspricht 14.25ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 3600MHz
- Module: 4x 8GB
- JEDEC: PC4-28800S
- CAS Latency CL: 16 (entspricht 8.89ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 18 (entspricht 10.00ns)
- Row Precharge Time tRP: 18 (entspricht 10.00ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 36 (entspricht 20.00ns)
- Spannung: 1.35V
- Modulhöhe: 30mm
- Intel XMP 2.0
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 3000MHz
- Module: 2x 16GB
- JEDEC: PC4-24000S
- CAS Latency CL: 18 (entspricht 12.00ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 20 (entspricht 13.33ns)
- Row Precharge Time tRP: 20 (entspricht 13.33ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 38 (entspricht 25.33ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Intel XMP 2.0
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 3200MHz
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC4-25600S
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Intel XMP 2.0
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 3200MHz
- Module: 2x 16GB
- JEDEC: PC4-25600S
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Intel XMP 2.0
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 3200MHz
- Module: 1x 32GB
- JEDEC: PC4-25600S
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 52 (entspricht 32.50ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 3200MHz
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC4-25600S
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 52 (entspricht 32.50ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 2666MHz
- Module: 1x 16GB
- JEDEC: PC4-21300S
- CAS Latency CL: 19 (entspricht 14.25ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 19 (entspricht 14.25ns)
- Row Precharge Time tRP: 19 (entspricht 14.25ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 43 (entspricht 32.26ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
weitere Informationen
- Typ: DDR4 SO-DIMM 260-Pin
- Takt: 3200MHz
- Module: 1x 8GB
- JEDEC: PC4-25600S
- CAS Latency CL: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row-to-Column Delay tRCD: 22 (entspricht 13.75ns)
- Row Precharge Time tRP: 22 (entspricht 13.75ns)
- Active-to-Precharge Time tRAS: 52 (entspricht 32.50ns)
- Spannung: 1.2V
- Modulhöhe: 30mm
- Standard-SPD
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SO-DIMM DDR4 (Small Outline Dual Inline Memory Module DDR4) ist eine spezielle Form des DDR4-Arbeitsspeichers, der hauptsächlich in Laptops, Mini-PCs und anderen kompakten Geräten verwendet wird. Hier ist eine kurze Beschreibung von SO-DIMM DDR4:
Kompakte Bauweise: SO-DIMM DDR4-Module sind kleiner als die Standard-DIMMs und passen daher in die SO-DIMM-Steckplätze von Laptop-Motherboards und anderen kleinen Geräten. Sie haben eine geringere physische Größe, behalten jedoch die gleiche Technologie und Leistungsfähigkeit wie reguläre DDR4-Module bei.
Hohe Geschwindigkeit und Effizienz: SO-DIMM DDR4 bietet eine hohe Übertragungsgeschwindigkeit und Effizienz, was zu einer verbesserten Leistung des Systems führt. Es ermöglicht schnellere Datenübertragungen und bessere Multitasking-Fähigkeiten.
Erhöhte Kapazität: DDR4-Module haben im Vergleich zu früheren Generationen eine höhere Kapazität. SO-DIMM DDR4-Module können in verschiedenen Kapazitäten wie 4 GB, 8 GB, 16 GB usw. erhältlich sein, je nach den Anforderungen des Systems.
Niedriger Stromverbrauch: DDR4-Module sind energieeffizienter als ihre Vorgänger. Sie arbeiten mit niedrigeren Spannungen und helfen somit, den Stromverbrauch des Systems zu reduzieren und die Batterielaufzeit in mobilen Geräten zu verlängern.
Kompatibilität: SO-DIMM DDR4 ist in der Regel abwärtskompatibel, d. h. es kann in Motherboards verwendet werden, die auch DDR3- oder älteren Arbeitsspeicher unterstützen. Es ist jedoch wichtig sicherzustellen, dass das Motherboard und das System die Verwendung von DDR4-SO-DIMM unterstützen.
SO-DIMM DDR4 wird für seine Kombination aus hoher Leistung, Energieeffizienz und kompakter Bauweise geschätzt. Es ermöglicht die Aufrüstung des Arbeitsspeichers in Laptops und anderen kleinen Geräten, um die Systemleistung zu verbessern und reibungsloses Multitasking sowie das Ausführen anspruchsvoller Anwendungen zu ermöglichen.